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DAN217WM

更新时间： 2024-01-26 13:31:27

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	542K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, EMD3F, SC-89A, 3 PIN

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DAN217WM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	EMD3F, SC-89A, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DAN217WM 数据手册

Switching Diode

DAN217WM

Data Sheet

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand size figure (Unit : mm)

1.0

High frequency switching

1.60

0.26

0.5

0.70

lFeatures

0.7

1) Ultra small mold type

(EMD3F)

0 ~

0.10

0.6

EMD3F

2) High reliability

lStructure

0.13

Each lead

has same

JEDEC :

ROHM : EMD3F

dimensions

JEITA : SC-89

dot (year week factory)

lConstruction

Silicon epitaxial planar

lTaping specifications (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

300

I_FM

Forward voltage(repetitive peak)

Average rectified forward current

Surge current (t=1us)

I_o

100

I_surge

150

Power dissipation

°C

T_j

150

Junction temperature

T_stg

Storage temperature

-55 to +150

lElectrical characteristics (T_a= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=100mA

Symbol Min. Typ. Max.

Unit

V_F

I_R

1.2

0.1

3.5

V_R=70V

Reverse current

C_t

trr

V_R=6V, f=1MHz

V_R=6V, I_F=5mA, RL=50W

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

www.rohm.com

2014.05 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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