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DAN217WFH

更新时间： 2024-02-06 23:53:47

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	816K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, SC-75A, 3 PIN

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DAN217WFH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.64	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DAN217WFH 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Switching Diode

DAN217WFH

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

Rectifying small power

1.0

0.5 0.5

0.7

Features

Small mold type.(EMD3)

0.6

EMD3

Structure

Construction

Silicon epitaxial

Taping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

φ1.50.1

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

0

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

Unit

V_R

Forward current (Single)

Average rectified forward current

Surge current (t=1us)

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_FM

I_surge

300

100

150

C

55 to 150

Tstg

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

0.1

3.5

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=100mA

V_R=70V

Reverse current

μA

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , I_F=5mA , RL=50

trr

www.rohm.com

2011.06 - Rev.B

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