DAN217W

更新时间： 2024-09-27 06:52:19

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罗姆 - ROHM		二极管开关
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描述
Switching Diode

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DAN217W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SC-75A	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DAN217W 数据手册

Switching Diode

DAN217W

zApplications

zDimensions(Unit : mm)

zLand size figure(Unit : mm)

Rectifying small power

1.0

0.5 0.5

0.7

zFeatures

Small mold type.(EMD3)

0.6

EMD3

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial

zTaping dimensions (Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

Unit

V_R

Forward current (Single)

Average rectified forward current

Surge current (t=1us)

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_FM

I_surge

300

100

150

°C

-55 to +150

Tstg

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

0.1

3.5

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=100mA

V_R=70V

Reverse current

µA

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , I_F=5mA , RL=50Ω

trr

www.rohm.com

2009.12 - Rev.A

1/2

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