DAN217UM

更新时间： 2024-01-30 02:20:43

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罗姆 - ROHM		二极管开关
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Switching Diode

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DAN217UM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	EMD3F, SC-89A, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DAN217UM 数据手册

Data Sheet

Switching Diode

DAN217UM

lApplications

lDimensions (Unit : mm)

ꢀꢀlLand size figure (Unit : mm)

High speed switching

lFeatures

1)Small mold, flat lead type. (UMD3F)

2)High reliability

lConstruction

ꢀlStructure

Silicon epitaxial planer

ROHM : UMD3F

dot (year week factory)

lTaping dimensions (Unit : mm)

φ 1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

4.0±0.1

φ 0.5±0.05

1.15±0.1

2.2±0.08

lAbsolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Forward voltage(repetitive peak)

Average rectified forward current

Surge current(t=1s)

I_FM

300

100

I_surge

Power dissipation

200

mW/Total

C

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

100

C

MHz

Rated in slash put frequency

lElectrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=100mA

V_R=70V

Reverse current

0.2

μA

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , I_F=5mA , R_L=50Ω

trr

3.5

4.0

www.rohm.com

2011.12 - Rev.A

1/3

12 3 4

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