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D970N06T

更新时间： 2024-09-23 20:05:39

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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8页	211K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 970A, 600V V(RRM), Silicon,

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D970N06T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-CEDB-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	8800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	970 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D970N06T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D970N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

400 V

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

Kenndaten

600 V

repetitive peak reverse voltages

800 V 1)

1245 A

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

970 A

1300 A

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

2040 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

10300 A

8800 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

530,45 10³A²s

387,2 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,3 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 750 A

v_F

max.

1,45 V

0,97 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,7 V

mΩ

0,31

Ersatzwiderstand

slope resistance

4,891E-01

1,323E-04

2,391E-03

1,340E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_F≤ 4000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

Thermische Eigenschaften

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

20 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max.

0,057 °C/W

0,053 °C/W

0,094 °C/W

0,090 °C/W

0,134 °C/W

0,130 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

0,015

beidseitig / two-sided

max.

°C/W

0,030 °C/W

180

thermal resistance, case to heatsink

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

1) 800V auf Anfrage / 800V on request

H.Sandmann

date of publication: 2010-01-25

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

A 11/10

1/8

IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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