D965

更新时间： 2024-01-05 19:14:04

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JCST		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	527K
描述
TRANSISTOR（ NPN ）

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D965 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

D965 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO— 92

D965 TRANSISTOR（ NPN ）

FEATURES

1.EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Power dissipation

P_CM: 0.75

Collector current

I_CM

W（Tamb=25℃）

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 42

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

Ic=1mA， I_E=0

Ic= mA， I_B=0

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E= 10 μA， I_C=0

V_CB= 30 V , I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 6 V， I_C=0

V_CE= 2 V, I_C= 0.15

H_FE（1）

H_FE（2）

H_FE（3）

V_CE(sat)

150

340

150

DC current gain

V_CE= 2V, I_C= 500 mA

950

V_CE= 2V,

I_C= 2000

Collector-emitter saturation voltage

I_C=3000mA,I_B=100 mA

0.35

CLASSIFICATION OF H

FE(2)

Rank

Range

340-600

560-950

12 3

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