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D950N22T

更新时间： 2024-02-08 12:28:37

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	211K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 2200V V(RRM), Silicon,

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D950N22T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.52
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.12 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	10250 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	950 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D950N22T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D950N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

1800 V

2200 V

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

1450 A

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

950 A

1240 A

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

1950 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

12800 A

10250 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

819 10³A²s

525 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 650 A

v_F

max.

2,10 V

1,12 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,7 V

mΩ

0,5

Ersatzwiderstand

slope resistance

5,630E-01

3,660E-04

3,066E-03

9,626E-03

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_F≤ 4000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T = T

, v = V

i_R

40 mA

Thermische_vjEigenschaften

vj max

RRM

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max.

0,045 °C/W

0,041 °C/W

0,081 °C/W

0,077 °C/W

0,092 °C/W

0,088 °C/W

thermal resistance, junction to case

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,01

max.

°C/W

0,02 °C/W

180

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2010-01-20

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

A 12/10

1/8

IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann

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