D882

更新时间： 2024-02-03 08:08:59

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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TRANSISTOR（ NPN ）

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D882 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

D882 TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 126

FEATURES

Power dissipation

1. EMITTER

2.COLLECTOR

3.BASE

P_CM: 1.25

Collector current

I_CM

W（Tamb=25℃）

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 40

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Ic=100μA ，I_E=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 10 mA , I_B=0

I_E= 100 μA，I_C=0

μA

V_CB=40 V , I_E=0

V_CE=30 V , I_B=0

V_EB=6V , I_C=0

V_CE= 2V, I_C= 1A

V_CE=2V, I_C= 100mA

I_C=2A, I_B= 0.2A

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE（1）

400

DC current gain

h_FE（2）

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.5

1.5

V_CE=5 V, I =0.1mA

Transition frequency

MHz

f = 10MHz

CLASSIFICATION OF hFE

(1)

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

200-400

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