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D650S14TQRHOSA1

更新时间： 2024-02-12 19:06:37

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Rectifier Diode,

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D650S14TQRHOSA1 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
二极管类型：	RECTIFIER DIODE

D650S14TQRHOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

D650S

Schnelle Diode

Fast Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

Kenndaten

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_RRM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

1400

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 100°C

620

average on-state current

960 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

1510 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= +25°C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

12200

10100

A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= +25°C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

744,2

510,05

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2700 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

2,25

1,0

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

0,45

2,9 V

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

IEC 747-2

T_vj= T_{vj max}, i_FM= 2700 A,

di_F/dt = 50 A/µs

V_FRM

5 µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / Method II

t_fr

_FM= di_F/dt · t_fr= 2700 A

T_vj= T_{vj max}, di_F/dt = 50 A/µs

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= +25°C

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

20 mA

200 mA

122 A

Rückstromspitze

IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

I_RM

peak reverse recovery current

i_FM= 900A, -di_F/dt = 50 A/µs

_R≈ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

370 µAs

5,3 µs

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

_FM= 900 A, -di_F/dt = 50 A/µs

_R≈ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

Q_r

t_rr

Sperrverzögerungszeit

reverse recovery time

IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

_FM= 900 A, -di_F/dt = 50 A/µs

_R≈ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

H.Sandmann

date of publication:

revision:

2009-03-16

1.0

prepared by:

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

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