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D51C66-35

更新时间: 2024-01-11 10:09:14
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 249K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20

D51C66-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

D51C66-35 数据手册

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