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D45C12

更新时间: 2024-02-29 07:19:17
品牌 Logo 应用领域
统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 146K
描述
POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W)

D45C12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.81
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):30 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

D45C12 数据手册

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A

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