Datasheet > D45C11J69Z

D45C11J69Z

更新时间： 2024-01-07 03:42:52

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	95K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D45C11J69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	32 MHz	Base Number Matches：	1

D45C11J69Z 数据手册

January 2010

D45C11

PNP Current Driver Transistor

Features

• This device is designed for power amplifier, regulator and switching

circuits where speed is important.

• Sourced from Process 5P.

• NZT751 for characteristics.

TO-220

1. Base 2. Collector 3. Emitter

Absolute Maximum Ratings* T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CEO

Parameter

Value

-80

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

I_C

-4.0

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle

operations.

Thermal Characteristics T_A=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Max.

Units

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

480

mW/°C

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

2.1

°C/W

62.5

D45C11 Rev. B2

www.fairchildsemi.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与D45C11J69Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D45C11S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
D45C12	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W)
D45C12	BOCA	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
D45C12	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
D45C12	ONSEMI	获取价格	Complementary Silicon Power Transistor
D45C12	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
D45C12	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
D45C1216A	MOTOROLA	获取价格	4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45C12-6200	RENESAS	获取价格	4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45C12-6226	RENESAS	获取价格	4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB