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D40V6-TYPE11

更新时间: 2024-09-24 18:54:15
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瑞萨 - RENESAS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
0.1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202AB

D40V6-TYPE11 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-202ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:9 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

D40V6-TYPE11 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D40V6-TYPE32 RENESAS

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0.1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202AB
D40WG000-30100AFB-G DBLECTRO

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom,
D40Z000-16506AFT-G DBLECTRO

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom,
D40Z000-32100EFB-G DBLECTRO

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom,
D40Z000-32506EFB-G DBLECTRO

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40MHz Nom
D41 ETC

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PHOTOTRANSISTOR | NPN | 830NM PEAK WAVELENGTH | 25M | LED-2B
D41_DD SLPOWER

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D41 Euro Wall Mount 2-6 Watts Series
D41-060800-A000G SLPOWER

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D41-061000-A000G SLPOWER

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