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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.85 | 其他特性： | HIGH CURRENT DRIVER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-202 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.67 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D40E7-TYPE1 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202AB |
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| D40E7-TYPE11 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202AB |
|
| D40E7-TYPE32 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202AB |
|
| D40EN | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-202-2, 3 PIN |
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| D40FF08 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 800V V(RRM), Silicon, DIE-2 |
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| D40FF10 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 1000V V(RRM), Silicon, DIE-2 |
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| D40FF10R | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DIE-2 |
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| D40H320-17306AFB-G | DBLECTRO |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40.32MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE WELDED, HC |
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| D40K | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
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| D40K1 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
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