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D30XBN20_10

更新时间: 2024-11-24 09:50:11
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新电元 - SHINDENGEN /
页数 文件大小 规格书
2页 550K
描述
SBD Bridge

D30XBN20_10 数据手册

 浏览型号D30XBN20_10的Datasheet PDF文件第2页 
シングルインライン型  
SBD Bridge  
Single In-line Package  
OUTLINE  
Package 5S  
■外観図ꢀ  
Unit : mm  
Weight : 7.1g(typ.)  
D30XBN20  
管理番  
例)  
200V 30A  
Control No.  
品名  
Type No.  
特 長  
例)  
Date code  
4.6  
30  
• 薄型 SIP パッケージ  
• SBD ブリッジ  
0264  
D30XBN20  
低 VF・低  
R
I
20  
Feature  
• Thin-SIP  
+
• SBD Bridge  
Low VF・Low  
17.5  
R
I
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下  
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。  
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor  
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,  
Terminal Connection.”  
RATINGS  
■定格表ꢀ  
品ꢀ名  
単位  
項ꢀꢀ目  
Item  
記号  
条ꢀ件  
D30XBN20  
Type No.  
Symbol  
Unit  
Conditions  
保存温度  
Tstg  
Tj  
-55~150  
150  
V
Storage Temperature  
接合部温度  
Operation Junction Temperature  
せん頭逆電圧  
VRM  
200  
Maximum Reverse Voltage  
フィン付き  
Tc=91℃  
Ta=26℃  
30  
With heatsink  
出力電流  
50Hz 正弦波,抵抗負荷  
IO  
A
Average Rectified Forward Current  
50Hz sine wave, Resistance load  
フィンなし  
3.1  
Without heatsink  
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃  
せん頭サージ順電流  
IFSM  
Vdis  
TOR  
350  
A
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25  
Peak Surge Forward Current  
一括端子・ケース間,AC1分間印加  
絶縁耐圧  
2.5  
kV  
Terminals to Case, AC 1 minute  
Dielectric Strenght  
(推奨値:0.5 Nm)  
締め付けトルク  
0.8  
N・m  
Mounting Torque  
Recommended torque : 0.5 Nm)  
パルス測定,1素子当たりの規格値  
IF=15A,  
順電圧  
MAX  
VF  
IR  
0.90  
V
Pulse measurement, per diode  
Forward Voltage  
パルス測定,1素子当たりの規格値  
逆電流  
MAX  
VR=200V,  
10  
μA  
pF  
Pulse measurement, per diode  
Reverse Current  
1素子当たりの規格値  
接合容量  
TYP  
Cj  
f=1MHz, VR=10V,  
360  
per diode  
Junction Capacitance  
接合部・ケース間,フィン付き  
MAX  
θjc  
θjl  
θja  
1.0  
Junction to Case, With heatsink  
熱抵抗  
接合部・リード間  
MAX  
℃/W  
5.0  
Thermal Resistance  
Junction to Lead  
接合部・ 周  
囲間  
MAX  
25  
Junction to Ambient  
J534-1  
204  

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