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D30XBN20

更新时间： 2024-02-15 18:47:26

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SBD Bridge Diode

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D30XBN20 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	3.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

D30XBN20 数据手册

SBDブリッジダイオード

SBD Bridge Diode

シングルインライン型

Single In-line Package

■外形寸法図ꢀOUTLINE DIMENSIONS

Unit : mm

Weight：3.9g（typ.）

Package：3S

D4SBN20

管理番号（例）

Control No.

品名

Type No.

ロット記号（例）

Date code

4.6^±0.2

3.6^±0.2

200V 4A

25^±0.3

D4SBN 20⁰²⁶⁴

特長

●薄型SIPパッケージ

●SBDブリッジ

～

－

～～

② ③

1.25^±0.2

1.9^±0.2

＋

①

－

④

2.7^±0.2

±0.2

1.7

●低V^F・低I

1.0^±0.1

0.7^±0.1

Feature

●Thin-SIP

●SBD Bridge

●Low VF・Low I

7.5^±0.27.5^±0.27.5^±0.2

①

②

③

④

（製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）

■定格表 RATINGS

指定のない場合は

●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（

Tc=25℃／unless otherwise specified）

品名

項

目

記号

Symbol

単位

Unit

条件

Conditions

D4SBN20

TypeꢀNo.

Item

保存温度

Storage Temperature

Tstg

－55～150

℃

接合部

温度

150

200

4.0

2.2

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

VRM

フィン付き

Tc=103℃

Ta=25℃

With heatsink

出力電流

Average Rectified Forward Current

50Hz 正弦波，抵抗負荷

50Hz sine wave, Resistance load

フィンなし

Without heatsink

50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

IFSM

Vdis

TOR

一括端子・ケース間，AC１分間印加

Terminals to Case, AC 1 minute

絶縁耐圧

Dielectric Strength

2.0

0.8

（推奨値：0.5 N・m）

（Recommended torque : 0.5 N・m）

締め付けトルク

Mounting Torque

N・m

指定のない場合は

●電気的・熱的特性ꢀElectrical Characteristics（

Tc=25℃／unless otherwise specified）

パルス測定，一素子当たりの規格値

順

電圧

MAX

TYP

IF=2A,

0.90

1.5

Pulse measurement, per diode

Forward Voltage

パルス測定，一素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

逆電流

Reverse Current

V^R=200V,

μA

一素子当たりの規格値

per diode

接合容量

Junction Capacitance

f=1MHz, VR=10V,

接合部

・ケース間，フィン付き

MAX

θjc

θjl

θja

6.0

8.0

junction to case, With heatsink

熱抵抗

Thermal Resistance

接合部

・リード間

MAX

℃/W

junction to lead

接合部・周囲間

MAX

junction to ambient

www.shindengen.co.jp/product/semi/

142

（J 514-6）

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