D30VC80F

更新时间： 2024-11-23 22:16:19

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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描述
Silicon-Twin Rectifiers Center tap

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D30VC80F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	300 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Rectifier Diodes
Base Number Matches：	1

D30VC80F 数据手册

D30 VC20 … D30 VC80

Silicon-Twin Rectifiers

Center tap

Silizium-Doppeldioden

Mittelpunktschaltung

Nominal current

Nennstrom

30 A

Type ”F”

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

60…250 V

Plastic case with alu-bottom

Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

Dimensions

28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]

23 g

Abmessungen

Type ”W”

Weight approx.

Gewicht ca.

Recognized Product – UL-File E175067

Anerkanntes Produkt – UL Nr. E175067

Compound has classification UL94V-0

Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

see page 22

Standard Lieferform: lose im Karton s.S. 22

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

max. alternating input voltage

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

max. Eingangswechselspannung

V_VRMS[V]

D30 VC20 F/W

D30 VC40 F/W

D30 VC60 F/W

D30 VC80 F/W

120

190

250

200

400

600

800

Repetitive peak fwd. current – Period. Spitzenstrom

f > 15 Hz

I_FRM

I_FSM

80 A ²)

300 A

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

T_A= 25ꢀC

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms

Isolation voltage – Isolationsspannung

T_A= 25ꢀC

i²t

450 A²s

> 2000 V

t = 1 min

V_ISO

T_j

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+150ꢀC

)

Valid per diode – Gültig pro Diode

Max. case temperature T_C= 100ꢀC – Max. Gehäusetemperatur T_C= 100ꢀC

11.02.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D30VC80W	DIOTEC	获取价格	Silicon-Twin Rectifiers Center tap
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