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D2898N04T

更新时间： 2024-11-30 19:09:47

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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7页	180K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3885A, 400V V(RRM), Silicon,

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D2898N04T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	JESD-30 代码：	O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	32300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	3885 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D2898N04T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2898N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

400 V

600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

6100 A

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_C= 100 °C

T_C= 58 °C

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

2894 A

3885 A

37400 A

32300 A

7000 10³A²s

5200 10³A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4,5 kA

T_vj= T_{vj max}

v_F

max.

0,95 V

0,66 V

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

mΩ

0,06

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

-3,502E-02

7,865E-05

1,337E-01

-7,354E-03

Durchlaßkennlinie

1000 A ≤ i_F≤ 10000 A

on-state characteristic

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

Sperrstrom

i_F

max.

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

50 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

R_thJC

max. 0,0254 °C/W

max. 0,0240 °C/W

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

Thermische Eigenschaften R_thCH

0,005

180

°C/W

°C

beidseitig / two-sided

max.

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 2

page 2

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

12...24 kN

160 g

clamping force

Gewicht

weight

typ.

Kriechstrecke

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration resistance

27 mm

50 m/s²

f = 50 Hz

H.Sandmann

date of publication: 2007-10-22

revision:

prepared by:

approved by: J.Przybilla

Seite/page

BIP PPE4 / 2007-06-15, H.Sandmann

A 14/07

1/7

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D2898N04T0	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D2898N06T0	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D2899-42	HARWIN	获取价格	3-SAY I.C. SOCKET WITH CENTRE SOCKET RMOVED
D28F010	ETC	获取价格	D28F010
D28F010-120P1C4	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
D28F010-135P1C4	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
D28F010-150P1C4	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
D28F010-200P1C4	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
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