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D283AG-00

更新时间： 2024-11-30 10:03:35

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	26K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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D283AG-00 数据手册

N P N S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

13005 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：D283AG-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：2830×2830µm ²

焊位尺寸：B 极 1200×420µm ²，E 极 1140×540µm ²

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：KSE13005，HE13005

█ 极限值（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）

T_stg——贮存温度

- 55~150℃

150℃

75W

700V

400V

T_j——结温

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

I_C——集电极电流（DC）

I_C——集电极电流（脉冲）

I_B——基极电流

█ 电参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_CEO(sus) 集电极—发射极维持电压

400

I_C=10mA，I_B=0

I_EBO

h_FE

发射极—基极截止电流

mA V_EB=9V，I_C=0

V_CE=5V，I_C=1A

直流电流增益

0.5

0.6

V_CE=5V，I_C=2A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

集电极—发射极饱和电压^*

基极—发射极饱和电压^*

I_C=1A，I_B=0.2A

I_C=2A，I_B=0.5A

I_C=4A，I_B=1A

1.2

1.6

I_C=1A，I_B=0.2A

I_C=2A，I_B=0.5A

V_CB=10V，f=0.1MHz

C_ob

f_T

共基极输出电容

特征频率

MHz V_CE=10V，I_C=0.5A

t_ON

t_STG

t_F

导通时间

0.8

µs

载流子贮存时间

下降时间

µs

V_CC=125V，I_C=2A,

0.9

I_B1=-I_B2=0.4A

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