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D270N36THOSA1

更新时间： 2024-11-26 20:07:15

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 270A, 3600V V(RRM), Silicon,

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D270N36THOSA1 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.6 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	4000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	270 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	最大重复峰值反向电压：	3600 V
最大反向电流：	20000 µA	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

D270N36THOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D270N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

3600 V

550 A

T_vj= -25°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

maximum RMS on-state current

T_C= 100 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

270 A

400 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

640 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

4800 A

4000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

115 10³A²s

80 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 1,05 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 250 A

v_F

max.

2,6 V

1,36 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,86 V

mΩ

1,54

Ersatzwiderstand

slope resistance

1,164E-01

2,008E-03

2,512E-01

-4,238E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

70 A ≤ i_F≤ 1000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

Thermische Eigenschaften

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

20 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max.

0,098 °C/W

0,090 °C/W

0,158 °C/W

0,150 °C/W

0,233 °C/W

0,225 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,011

beidseitig / two-sided

max.

°C/W

0,022 °C/W

einseitig / single-sided

150

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

-40...+150 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-04

prepared by:

revision:

approved by: M.Leifeld

A 07/09

1/8

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

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与D270N36THOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D270N36TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 270A, 3600V V(RRM), Silicon,
D2710.518	ETC	获取价格	BAG MOISTURE BARR 10.5"X18"1=1EA
D271010	ETC	获取价格	BAG MOIST BARR DUAL LAYER 10X10"
D271014	ETC	获取价格	BAG MOIST BARR DUAL LAYER 14X10"
D271018	ETC	获取价格	BAG MOIST BARR DUAL LAYER 18X10"
D271020	ETC	获取价格	BAG 10X20" MOIST BARRIER 1=1EA
D271022	ETC	获取价格	BAG MOIST BARR DUAL LAYER 22X10"
D271024	ETC	获取价格	BAG MOIST BARR DUAL LAYER 24X10"
D2-71083-LR	RENESAS	获取价格	Intelligent Digital Amplifier and Sound Processor; LQFP128; Temp Range: 0° to 70&a
D2-71083-LR	INTERSIL	获取价格	Intelligent Digital Amplifier and Sound Processor

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