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D2650N24T

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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8页	240K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3000A, 2400V V(RRM), Silicon,

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D2650N24T 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.25 V
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	最大非重复峰值正向电流：	33500 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	180 °C
最大输出电流：	3000 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2400 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
Base Number Matches：	1

D2650N24T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2650N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

2400 V

4710 A

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

maximum RMS on-state current

T_C= 100 °C

Dauergrenzstrom

2650 A

3520 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

average on-state current

5520 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

41000 A

33500 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

8405 10³A²s

5611 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 9,0 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,5 kA

v_F

max.

2,25 V

1,25 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,82 V

mΩ

0,148

-4,562E-01

1,522E-04

2,069E-01

-5,183E-03

700 A ≤ i_F≤ 13000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

Thermische Eigenschaften

i_R

200 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max. 0,0169 °C/W

max. 0,0160 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

thermal resistance, junction to case

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

0,0025

max.

°C/W

0,0050 °C/W

180

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

°C

-40...+180 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2009-06-15

prepared by:

revision:

approved by: M.Leifeld

A 20/09

1/8

IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann

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