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D25XB80

更新时间： 2024-09-24 02:59:23
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圣诺 - SENO /
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2页 58K
描述
25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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D25XB80 数据手册

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Zibo Seno Electronic Engineering Co., Ltd.  
D25XB05-D25XB100  
25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500V  
5S  
RMS  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
7.30  
9.80  
2.00  
0.90  
2.30  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
Low Reverse Leakage Current  
Surge Overload Rating to 350A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
L
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
A
M
K
·
Lead Free Finish/RoHS Complian  
7.70  
B
D
G
H
I
10.20  
2.40  
S
N
_
J
1.10  
Mechanical Data  
P
J
2.70  
H
I
C
·
·
Case: Molded Plastic  
K
L
3.0 X 45°  
R
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
M
N
P
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Weight: 6.6 grams (approx)  
G
E
E
R
S
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics@ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
D25XB D25XB D25XB D25XB D25XB D25XB D25XB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
05  
50  
35  
10  
100  
70  
20  
200  
140  
20  
60  
80  
100  
1000  
700  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
400  
600  
420  
800  
560  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
25  
V
A
Average Forward Rectified Output Current  
(Note 1)  
@ TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3 ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
350  
A
Forward Voltage (per element)  
@ IF = 12.5A  
VFM  
IR  
1.05  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC = 25°C  
@ TC = 125°C  
10  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)  
I2t  
Cj  
510  
85  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance (per element) (Note 2)  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJC  
Tj, TSTG  
0.6  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Non-repetitive, for t > 1ms and < 8.3 ms.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 220 x 220 x 1.6mm aluminum plate heat sink.  
D25XB05-D25XB100  
www.senocn.com  
1 of 2  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D25XB80-4000 ETC

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D25XB80-4101 ETC

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D25XB80-7000 ETC

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 		Single In-line Package
D25XB80-7101 ETC

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 		Single In-line Package
D-26 TDK

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 		附件
D2601N EUPEC

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 		Rectifier Diode
D2601N85T INFINEON

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 		D2601N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 120mm，高度
D2601N85TXPSA1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3040A, 8500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMI
D2601N90T INFINEON

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D2601NH EUPEC

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