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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.82 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.558 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 128 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| D2164A-15S6493 | INTEL | Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, MOS, CDIP16 |
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| D2164A-20 | INTEL | Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 |
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| D2164A-20S6494 | INTEL | Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16 |
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|
| D216E | MPD | Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters |
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|
| D216EI | MPD | Low Cost, 2W SIP High Isolation DC/DC Converters |
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| D216ERU | MPD | Low Cost, 4:1 Input Miniature, 2W SIP DC/DC Converters |
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