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D2053UK

更新时间： 2024-01-16 06:05:27
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SEME-LAB 射频
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D2053UK 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, R-CDMW-F8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
其他特性：LOW NOISE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (ID)：1 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDMW-F8JESD-609代码：e4
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROWAVE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：GOLD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

D2053UK 数据手册

 浏览型号D2053UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D2053UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
C
D
B
8
7
1
E
2
R
A
3
6
F
5
4
Q
O
5W – 28V – 1GHz  
PUSH–PULL  
N
M
J
K
L
I
P
FEATURES  
H
G
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
DBC4 Package  
PIN 1 Source (Common) PIN 5 Source (Common)  
• VERY LOW C  
PIN 2 Drain 1  
PIN 3 Drain 2  
PIN 6 Gate 2  
PIN 7 Gate 1  
rss  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
PIN 4 Source (Common) PIN 8 Source (Common)  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
mm  
6.47  
0.76  
45°  
Tol.  
0.08  
0.08  
5°  
Inches  
.255  
.030  
45°  
Tol.  
.003  
.003  
5°  
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM  
0.76  
1.14  
2.67  
11.73  
8.43  
7.92  
0.20  
0.64  
0.30  
3.25  
2.11  
6.35SQ  
1.65  
0.13  
0.25  
0.08  
0.08  
0.08  
0.13  
0.08  
0.08  
0.02  
0.02  
0.02  
0.08  
0.08  
0.08  
0.51  
max  
0.07  
.030  
.045  
.105  
.462  
.332  
.312  
.008  
.025  
.012  
.128  
.083  
.250SQ  
.065  
.005  
0.010  
.003  
.003  
.003  
.005  
.003  
.003  
.001  
.001  
.001  
.003  
.003  
.003  
.020  
max  
.003  
APPLICATIONS  
• VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 1 GHz  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
15W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage *  
Gate – Source Breakdown Voltage *  
Drain Current *  
65V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
1A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
* Per Side  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 9/00  
12

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