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D1UB80

更新时间： 2024-11-03 22:10:31

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新电元 - SHINDENGEN		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	154K
描述
General Purpose Rectifiers(800V 1A)

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D1UB80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOD	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.9	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

D1UB80 数据手册

SHINDENGEN

General Purpose Rectifiers

SMT Bridges

OUTLINE DIMENSIONS

D1UB80

Case : SOP-4

Unit : mm

800V 1A

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings (If not specified Tc=25℃)

Item

Symbol

Tstg

Conditions

Ratings

-55～150

Unit

℃

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

M aximum Reverse Voltage

150

800

V_RM

Average Rectified Forward Current

Peak Surge Forward Current

Current Squared Time

50Hz sine wave, R-load, Ta=25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj=25 ℃

1ms≦t＜10ms Tj=25 ℃

FSM

I _t

A²s

●Electrical Characteristics (If not specified Tc=25℃)

Item

Symbol

V_F

Conditions

I =0.4A, Pulse measurement, Rating of per diode

Ratings

M ax.0.95

M ax.10

Unit

μA

Forward Voltage

Reverse Current

V =800v, Pulse measurement, Rating of per diode

Thermal Resistance

θjl junctiontolead ꢀ W ithoutheatsink

θja junction to ambient W ithout heatsink

M ax.25 ℃/W

M ax.62.5

12 3 4 5 6

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