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D1961SH

更新时间： 2024-02-17 22:32:00

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EUPEC		驱动器二极管
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Fast Hard Drive Diode

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D1961SH 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-XXDB-X2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.71
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XXDB-X2	最大非重复峰值正向电流：	40000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	2530 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	4500 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

D1961SH 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D 1961SH

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

4500 V

3980 A

T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Rt^üe^cn^{kwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak reverse voltage

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

1960 A

2530 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C, f=50Hz

T_C= 60°C, f=50Hz

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

40000 A

10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

8000 10³ A²s

5 MW

Max. Ausschaltverluste

max. turn-off losses

T_vj= T_vjmax

W_max

_FM= 2500A, V_CL= 2800V,

clamp circuit L_S≤ 0,25µH,

_CL= 68Ω, D_CL= 34DSH65,

C_CL= 3µF

Charakteristische Werte / Characteristic values

Gleichsperrspannung

estimate

value

2800 V

failure rate λ < 100

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2500A

T_vj= T_{vj max}

V_R(D)

v_F

V_(TO)

r_T

continuous direct reverse voltage

typ.

2,16 V

2,5 V

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

typ.

1,11 V

1,25 V

Schleusenspannung

threshold voltage

max.

typ.

0,42 mΩ

0,5 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

typ.

0,72096

Durchlaßkennlinie

200A ≤ i_F≤ 3000A

T_vj= T_{vj max}

on-state characteristic

-0,000113

-0,0806

0,0469

max.

0,6986

v_F= A + B i_F+ C Ln(i_F+ 1) + D

i_F

-0,0000753

-0,07067

0,0506

Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

T_vj= T_vjmax, d_iF/dt = 5000A/µs

V_FRM

i_R

typ.

280 V

_FM= 4000A

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

max.

150 mA

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

max. 12000 µAs

T_vj= T_vjmax

_FM= 2500A, V_CL= 2800V,

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I_RM

E_off

F_RRS

max. 2250 A

clamp circuit L_S≤ 0,25µH,

_CL= 68Ω, C_CL= 3µF,

Ausschaltverlust Energie

turn-off energy

_CL= 34DSH65, -di/dt = 1000A/µs

max.

typ.

21 Ws

1,6

T_vj= T_vjmax

_FM= 2500A, V_R= 2800 V,

-di_rr/dt_(i=0)= 1000A/µs, ∆t_rf= 200ns

Abklingsanftheit

reverse recovery softness factor

C. Schneider

date of publication:

revision:

2006-07-19

prepared by:

approved by: J. Przybilla

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与D1961SH相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
D1961SH45T	INFINEON	D1961SH IGCT-Diode 盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 12	获取价格
D1961SH45TXPSA1	INFINEON	Rectifier Diode,	获取价格
D1990	NEC	SERIAL I/O CALENDAR & CLOCK CMOS LSI	获取价格
D19G	MINI	Directional Coupler 50Ω 1420 to 1660 MHz	获取价格
D19GA	MINI	Directional Coupler	获取价格
D19GA+	MINI	Directional Coupler	获取价格

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