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D16NE10L

更新时间： 2022-10-25 14:27:42
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.07 ohm - 16A DPAK STripFET POWER MOSFET

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STD16NE10L  
N - CHANNEL 100V - 0.07 Ω - 16A DPAK  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD16NE10L  
100 V  
< 0.10 Ω  
16 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.07 Ω  
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175 oC OPERATING TEMPERATURE  
LOW THRESHOLD DRIVE  
ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
3
1
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
100  
± 20  
16  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
11  
A
IDM( ) Drain Current (pulsed)  
64  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
55  
W
0.36  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤16A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/6  
May 2000  
123456

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