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D1230N16TXPSA1

更新时间： 2024-11-05 08:16:27

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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Rectifier Diode,

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D1230N16TXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.71	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

D1230N16TXPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM1200

1400

1600 V

1800 V

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

1669 A

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

1230 A

1650 A

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

2590 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

14800 A

11800 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

1095 10³A²s

696 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3,2 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

v_F

max.

1,77 V

1,063 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,81 V

mΩ

0,28

Ersatzwiderstand

slope resistance

-4,216E-01

3,674E-04

2,591E-01

-1,902E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_F≤ 4000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

Thermische Eigenschaften

i_R

50 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max.

0,039 °C/W

0,035 °C/W

0,062 °C/W

0,058 °C/W

0,093 °C/W

0,089 °C/W

thermal resistance, junction to case

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0075

max.

°C/W

0,0150 °C/W

180

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2010-01-20

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

A 13/10

1/8

IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D1230N18T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1800V V(RRM), Silicon,
D1230N18THOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1800V V(RRM), Silicon,
D1230N18TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D1230R9FP5-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 30.9ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123160FP0-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 316ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123160FP0-PB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 316ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123160FP5-PB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 316ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123161FP0-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 3160ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123161FP5-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 3160ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123162FP0	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 31600ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP

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