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D1230N16T

更新时间： 2024-11-04 19:30:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	223K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1600V V(RRM), Silicon,

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D1230N16T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.56	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.77 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	11800 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	180 °C
最大输出电流：	1230 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

D1230N16T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D1230N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM1200

1400

1600 V

1800 V

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

1669 A

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

1230 A

1650 A

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

2590 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

14800 A

11800 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

1095 10³A²s

696 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3,2 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

v_F

max.

1,77 V

1,063 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,81 V

mΩ

0,28

Ersatzwiderstand

slope resistance

-4,216E-01

3,674E-04

2,591E-01

-1,902E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_F≤ 4000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

Thermische Eigenschaften

i_R

50 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max.

0,039 °C/W

0,035 °C/W

0,062 °C/W

0,058 °C/W

0,093 °C/W

0,089 °C/W

thermal resistance, junction to case

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0075

max.

°C/W

0,0150 °C/W

180

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2010-01-20

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

A 13/10

1/8

IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D1230N16TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D1230N18T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1800V V(RRM), Silicon,
D1230N18THOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1800V V(RRM), Silicon,
D1230N18TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D1230R9FP5-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 30.9ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123160FP0-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 316ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123160FP0-PB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 316ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123160FP5-PB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 316ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123161FP0-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 3160ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D123161FP5-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 3160ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP

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