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D1230N12T

更新时间： 2024-11-05 11:01:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
8页 223K
描述
D1230N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 48mm，高度 14mm。

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D1230N12T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.77 VJESD-30 代码：O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：11800 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：180 °C最大输出电流：1230 A
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

D1230N12T 数据手册

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D1230N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
VRRM 1200  
1400  
1600 V  
1800 V  
Periodische Spitzensperrspannung  
Tvj = -40°C... Tvj max  
repetitive peak reverse voltages  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
IFRMSM  
IFAVM  
IFAVM  
IFRMS  
1669 A  
maximum RMS on-state current  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 100 °C  
1230 A  
1650 A  
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms  
2590 A  
Durchlaßstrom-Effektivwert  
RMS on-state current  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max tP = 10 ms  
IFSM  
I²t  
14800 A  
11800 A  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
1095 10³A²s  
696 10³A²s  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max , iF = 3,2 kA  
Tvj = Tvj max , iF = 800 A  
vF  
max.  
max.  
1,77 V  
1,063 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
rT  
0,81 V  
mΩ  
0,28  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
A=  
-4,216E-01  
3,674E-04  
2,591E-01  
-1,902E-02  
Durchlaßkennlinie  
on-state characteristic  
200 A ≤ iF ≤ 4000 A  
B=  
C=  
D=  
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D  
iF  
max.  
Sperrstrom  
reverse current  
Tvj = Tvj max , vR = VRRM  
iR  
50 mA  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, θ = 180°sin  
Anode / anode, DC  
RthJC  
Innerer Wärmewiderstand  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
0,039 °C/W  
0,035 °C/W  
0,062 °C/W  
0,058 °C/W  
0,093 °C/W  
0,089 °C/W  
thermal resistance, junction to case  
Kathode / cathode, θ = 180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
einseitig / single-sided  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
0,0075  
max.  
max.  
°C/W  
0,0150 °C/W  
180  
°C  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
-40...+180 °C  
-40...+180 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
H.Sandmann  
date of publication: 2010-01-20  
prepared by:  
revision:  
3.1  
approved by: M.Leifeld  
A 13/10  
1/8  
IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann  
Seite/page  
12345678

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与D1230N12T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D1230N12THOSA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1200V V(RRM), Silicon,
D1230N12TXPSA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode,
D1230N14T INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1400V V(RRM), Silicon,
D1230N14TXPSA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode,
D1230N16T INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1600V V(RRM), Silicon,
D1230N16TXPSA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode,
D1230N18T INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1800V V(RRM), Silicon,
D1230N18THOSA1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1230A, 1800V V(RRM), Silicon,
D1230N18TXPSA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode,
D1230R9FP5-E3 VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 30.9ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP

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