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D1014UK

更新时间： 2024-09-24 14:55:27
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TTELEC /
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5页 57K
描述
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

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D1014UK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC, DP, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：70 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Gold (Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

D1014UK 数据手册

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TetraFET  
D1014UK  
ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
C
N
(typ)  
2
3
1
B
A
40W – 28V – 500MHz  
SINGLE ENDED  
D
(2 pls)  
F
(2 pls)  
H
J
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
M
E
K
I
G
DP  
• LOW C  
rss  
PIN 1  
PIN 3  
SOURCE  
GATE  
PIN 2  
DRAIN  
• USEFUL P AT 1GHz  
O
• LOW NOISE  
DIM  
A
B
C
D
E
mm  
16.51  
6.35  
45°  
3.30  
18.92  
1.52  
2.16  
14.22  
1.52  
6.35  
0.13  
5.08  
Tol.  
0.25  
0.13  
5°  
0.13  
0.08  
0.13  
0.13  
0.08  
0.13  
0.13  
0.03  
0.51  
Inches  
Tol.  
0.650  
0.250  
45°  
0.010  
0.005  
5°  
• HIGH GAIN – 12 dB MINIMUM  
0.130  
0.745  
0.060  
0.085  
0.560  
0.060  
0.250  
0.005  
0.200  
0.005  
0.003  
0.005  
0.005  
0.003  
0.005  
0.005  
0.001  
0.020  
F
G
H
I
J
K
APPLICATIONS  
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 500 MHz  
M
N
1.27 x 45° 0.13 0.050 x 45° 0.005  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
87.5W  
70V  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
DSS  
GSS  
±20V  
I
10A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Document Number 4049  
Issue 3  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D101-4X TE

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D10151JP0 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 5%, 200ppm, 150ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D10154JP0-PB VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 5%, 200ppm, 150000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1015UK SEME-LAB

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 		METAL GATE RF SILICON FET
D1015UK TTELEC

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 		OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D10162JP0-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 5%, 200ppm, 1600ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 1690ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
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