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D1009UK

更新时间： 2024-09-26 14:52:47
品牌 Logo 应用领域
TTELEC /
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

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D1009UK 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC, DR, 5 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D1009UK 数据手册

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TetraFET  
D1009UK  
ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
B
G
(typ)  
C
(2 pls)  
2
3
4
1
P
150W – 28V – 500MHz  
PUSH–PULL  
(2 pls)  
H
D
A
5
E
(4 pls)  
F
I
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
N
M
O
J
K
DR  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 5  
SOURCE (COMMON)  
DRAIN 2  
GATE 1  
PIN 2  
PIN 4  
DRAIN 1  
GATE 2  
• LOW C  
rss  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM Millimetres Tol.  
Inches  
0.75  
0.424  
45°  
Tol.  
A
B
C
D
E
F
19.05  
10.77  
45°  
9.78  
5.71  
27.94  
1.52R  
10.16  
22.22  
0.13  
0.50  
0.13  
5°  
0.020  
0.005  
5°  
• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
MAX  
0.02  
0.13  
0.13  
0.50  
0.13  
0.08  
0.385  
0.225  
1.100  
0.060R  
0.400  
0.875  
0.005  
0.107  
0.067  
0.200  
1.340  
0.064R  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
MAX  
0.001  
0.005  
0.005  
0.020  
0.005  
0.003  
G
H
I
APPLICATIONS  
J
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 500 MHz  
K
M
N
O
P
2.72  
1.70  
5.08  
34.03  
1.61R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
389W  
70V  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage *  
Gate – Source Breakdown Voltage *  
Drain Current *  
DSS  
GSS  
±20V  
I
20A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
* Per Side  
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed  
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.  
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
Document Number 2597  
Issue 2  
E-mail: sales@semelab.co.uk  
Website: http://www.semelab.co.uk  
123456

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与D1009UK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D-100A TE

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 		D-100A 3PST N.O., 120 Amps,115/200 VAC, 400 Hz
D100A00-16305FT-G DBLECTRO

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00-16306EFG-G DBLECTRO

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00-20303FC-G DBLECTRO

获取价格

 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00CS301FT-G DBLECTRO

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00I18302FG-G DBLECTRO

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00I30301EFT-G DBLECTRO

获取价格

 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00T16302AFC-G DBLECTRO

获取价格

 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 3 PIN
D100A00V18303FT-G DBLECTRO

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
D100A00VS301EFB-G DBLECTRO

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 100MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN

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