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D1004

更新时间： 2024-01-06 21:30:36
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 射频
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D1004 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC, DT, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：70 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRFM-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

D1004 数据手册

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TetraFET  
D1004UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
C
D
(2 pls)  
E
B
1
2
3
80W – 28V – 175MHz  
SINGLE ENDED  
A
G
5
4
H
I
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
F
M
K
J
N
DT  
• LOW C  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 5  
SOURCE (COMMON) PIN 2  
SOURCE (COMMON) PIN 4  
DRAIN  
GATE  
SOURCE (COMMON)  
rss  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM  
A
B
C
D
E
mm  
6.35 DIA  
3.17 DIA  
18.41  
5.46  
Tol.  
Inches  
Tol.  
0.13 0.250 DIA 0.005  
0.13 0.125 DIA 0.005  
• HIGH GAIN – 16 dB MINIMUM  
0.25  
0.13  
0.13  
MAX  
0.38  
0.13  
0.13  
0.03  
0.13  
0.13  
0.25  
0.725  
0.215  
0.205  
0.300  
0.850  
0.155  
0.500  
0.005  
0.975  
0.102  
0.160  
0.010  
0.005  
0.005  
MAX  
0.015  
0.005  
0.005  
0.001  
0.005  
0.005  
0.010  
5.21  
F
7.62  
APPLICATIONS  
G
H
I
21.59  
3.94  
12.70  
0.13  
• HF/VHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 175 MHz  
J
K
M
N
24.76  
2.59  
4.06  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
175W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
70V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
20A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 6/99  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D10040-000 TE

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 		14mm Series Metal Oxide Varistors
D10040180GT PDI

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 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
D10040180GTH PDI

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 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC
D10040200GT PDI

获取价格

 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
D10040200GTH PDI

获取价格

 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, High, 440mA max. @ 24VDC
D1004020A1028FMZ VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 200ppm, 1.02ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1004020A1108FMZ VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.1ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfac
D1004020A1201JMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1200ohm, 50V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfa
D1004020A1208FMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.2ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfac
D1004020A1208FPZ VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 200ppm, 1.2ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP

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