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D1003UK

更新时间： 2024-02-27 21:38:06
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页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D1003UK 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：70 V
最大漏极电流 (ID)：15 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F4
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D1003UK 数据手册

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TetraFET  
D1003UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
A
B
C
1
2
3
60W – 28V – 175MHz  
SINGLE ENDED  
D
E
4
M
F
G
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
H
I
J
K
DM  
• LOW C  
PIN 1  
PIN 3  
SOURCE  
SOURCE  
PIN 2  
DRAIN  
GATE  
rss  
PIN 4  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM  
A
mm  
Tol.  
Inches  
0.975  
0.725  
45°  
Tol.  
0.005  
0.005  
5°  
24.76  
18.42  
45°  
0.13  
0.13  
5°  
• HIGH GAIN – 16 dB MINIMUM  
B
C
D
6.35  
0.13  
0.25  
0.005  
E
F
G
H
I
J
K
M
3.17 Dia.  
5.71  
12.7 Dia.  
6.60  
0.13  
4.32  
0.13 0.125 Dia. 0.005  
0.13 0.225 0.005  
0.13 0.500 Dia. 0.005  
APPLICATIONS  
REF  
0.02  
0.13  
0.13  
0.25  
0.260  
0.005  
0.170  
0.125  
1.03  
REF  
0.001  
0.005  
0.005  
0.010  
• HF/VHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 175 MHz  
3.17  
26.16  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
117W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
70V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
15A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 6/99  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		WILMAR™ Protective Relays-D100X Series, Close
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 		METAL GATE RF SILICON FET
D10040-000 TE

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 		14mm Series Metal Oxide Varistors
D10040180GT PDI

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 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
D10040180GTH PDI

获取价格

 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC
D10040200GT PDI

获取价格

 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
D10040200GTH PDI

获取价格

 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, High, 440mA max. @ 24VDC
D1004020A1028FMZ VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 200ppm, 1.02ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1004020A1108FMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.1ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfac
D1004020A1201JMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1200ohm, 50V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfa

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