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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.26 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 70 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 | JESD-609代码： | e4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D1002UK | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
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| D1002UK | TTELEC |
获取价格 |
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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| D1003UK | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
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| D1003UK | TTELEC |
获取价格 |
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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| D100-3X | TE |
获取价格 |
WILMAR™ Protective Relays-D100X Series, Close |
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| D1004 | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
|
| D10040-000 | TE |
获取价格 |
14mm Series Metal Oxide Varistors |
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| D10040180GT | PDI |
获取价格 |
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC |
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| D10040180GTH | PDI |
获取价格 |
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC |
|
| D10040200GT | PDI |
获取价格 |
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC |
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