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CZTUX87BKPBFREE

更新时间: 2024-11-15 07:16:31
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页数 文件大小 规格书
2页 597K
描述
Transistor,

CZTUX87BKPBFREE 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):12最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

CZTUX87BKPBFREE 数据手册

 浏览型号CZTUX87BKPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CZTUX87  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
HIGH VOLTAGE  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTUX87 type  
is a NPN Silicon Power Transistor epoxy molded in  
a surface mount package, designed for high voltage  
switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
900  
450  
V
V
CEV  
CEO  
EBO  
V
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
0.5  
A
C
I
1.0  
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
1.0  
A
B
P
2.0  
W
°C  
°C/W  
D
T
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
-65 to +150  
62.5  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
450  
12  
TYP  
MAX  
100  
1.0  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=900V, V =1.5V  
BE  
CEV  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
EB  
=900V, V =1.5V, T =125°C  
BE  
A
=5.0V  
1.0  
BV  
I =30mA  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
V
V
V
I =100mA, I =10mA  
0.8  
1.0  
1.0  
V
C
B
I =200mA, I =20mA  
V
C
B
I =200mA, I =20mA  
V
C
B
h
V
=5.0V, I =40mA  
CE  
CE  
CC  
CC  
C
f
t
t
V
V
V
=10V, I =50mA, f=1.0MHz  
20  
4.5  
0.5  
MHz  
µs  
T
C
=250V, I =200mA, I =40mA, I =80mA  
s
f
C
B1 B2  
=250V, I =200mA, I =40mA, I =80mA  
µs  
C
B1 B2  
R3 (1-March 2010)  

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