生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 35.56 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 4.14 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9459906MXX | CYPRESS | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
获取价格 |
|
5962-9459906MYA | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
获取价格 |
|
5962-9459906MYC | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
获取价格 |
|
5962-9460001MGX | ETC | Chopper-Stabilized Operational Amplifier |
获取价格 |
|
5962-9460001MPA | WEDC | Operational Amplifier, 2 Func, 5uV Offset-Max, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 |
获取价格 |
|
5962-9460001MPX | ETC | Chopper-Stabilized Operational Amplifier |
获取价格 |