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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP28,.3 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.63 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9322504MXX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-9322504MYA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-9322504MYX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-9322504MZX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-9322601MXA | ETC | Transceiver |
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| 5962-9322601MXC | ETC | Transceiver |
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