是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | QLCC | 包装说明: | QCCN, LCC28,.35X.55 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 64KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC28,.35X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 1.905 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9322503MYX | ETC | x4 SRAM |
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5962-9322503MZX | ETC | x4 SRAM |
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5962-9322504MXA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-9322504MXX | ETC | x4 SRAM |
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5962-9322504MYA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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5962-9322504MYX | ETC | x4 SRAM |
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