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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.24 | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | SOFTWARE STORE/RECALL | JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 35.56 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 4.14 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | GOLD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9232406MXX | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| 5962-9232406MYC | CYPRESS | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-9232406MYC | SIMTEK | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-9232406MYX | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| 5962-9232501MXA | NSC | 3A, 55V H-Bridge |
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| 5962-9232501MXA | TI | 2.4A, 55V H-Bridge |
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