5秒后页面跳转
5962-9062002MYX PDF预览

5962-9062002MYX

更新时间: 2024-01-04 08:51:02
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 352K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48

5962-9062002MYX 技术参数

生命周期:Active包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.35
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-CDIP-T48
长度:60.96 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:48
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

5962-9062002MYX 数据手册

 浏览型号5962-9062002MYX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962-9062002MYX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962-9062002MYX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-9062002MYX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962-9062002MYX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-9062002MYX的Datasheet PDF文件第7页 

与5962-9062002MYX相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
5962-9062002MZX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格

5962-9062003MUA WEDC Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQFP48

获取价格

5962-9062003MUX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格

5962-9062003MYA WEDC Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP48

获取价格

5962-9062003MYX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格

5962-9062003MZX ETC x8 Dual-Port SRAM

获取价格