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5962-8993503ZA

更新时间： 2024-02-08 11:18:25

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	239K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

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5962-8993503ZA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	QCCN, LCC28,.35X.55	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	25 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-XQCC-N28
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC28,.35X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	1.905 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	8.89 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8993503ZX	ETC	x4 SRAM	获取价格
5962-8994001HXX	ETC	Sample/Track-and-Hold Amplifier	获取价格
5962-8994002HXC	APITECH	Sample and Hold Circuit, 1 Func, Sample, Hybrid, PDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14	获取价格
5962-8994002HXX	APITECH	Sample and Hold Circuit, 1 Func, Sample, PDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14	获取价格
5962-8994201QA	ETC	Multi-Mode FIFO	获取价格
5962-8994201QX	ETC	Multi-Mode FIFO	获取价格