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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.4 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | 长度： | 37.0205 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8993502YX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8993502ZA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-8993502ZX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8993503XA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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| 5962-8993503XX | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| 5962-8993503YX | ETC | x4 SRAM |
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