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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, DIP28,.3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.025 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.175 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8971204XX | WEDC | Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDIP28 |
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| 5962-8971204YA | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8971204ZA | CYPRESS | Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-8971301M9X | ETC | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
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| 5962-8971301MMC | XILINX | Field Programmable Gate Array, 50MHz, 144-Cell, CMOS, CQFP100, TOP BRAZED, CERAMIC, QFP-10 |
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| 5962-8971301MMX | ETC | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
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