生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q |
最大待机电流: | 0.025 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8961415QXX | CYPRESS | UVPROM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
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5962-8961415QYA | ETC | x8 EPROM |
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5962-8961416MYA | WEDC | UVPROM, 128KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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5962-8961416MYC | WEDC | UVPROM, 128KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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5962-8961416QXA | CYPRESS | UVPROM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
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5962-8961416QXX | CYPRESS | UVPROM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
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