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5962-8959837MZA

更新时间: 2024-02-29 05:59:40
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 219K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERDIP-32

5962-8959837MZA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.03Is Samacsys:N
最长访问时间:25 ns其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, 2V DATA RETENTION, BATTERY BACKUP, LOW POWER STANDBY
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:5.8928 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.14 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

5962-8959837MZA 数据手册

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