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5962-8959821MMA

更新时间: 2024-01-31 00:56:16
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 215K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

5962-8959821MMA 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.26
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:2.286 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

5962-8959821MMA 数据手册

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