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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 40.64 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.89 mm |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8959820MZX | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32 |
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| 5962-8959821M7A | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8959821M7C | WEDC | IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDSO, CERAMIC, SOJ-32, Static RAM |
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| 5962-8959821MMA | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| 5962-8959821MMC | MICROSS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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| 5962-8959821MMX | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, LCC-32 |
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