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5962-8959820MMA

更新时间： 2024-01-09 07:46:53

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	215K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

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5962-8959820MMA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	CERAMIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	2.286 mm
最大待机电流：	0.001 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8959820MMC	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
5962-8959820MMX	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, LCC-32	获取价格
5962-8959820MNA	ETC	x8 SRAM	获取价格
5962-8959820MTA	MICROSEMI	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, FP-32	获取价格
5962-8959820MTC	ETC	x8 SRAM	获取价格
5962-8959820MTX	ETC	x8 SRAM	获取价格