是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.33 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256KX1 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8872501XA | CYPRESS | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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5962-8872501XC | MICROSS | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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5962-8872501XX | MICROSS | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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5962-8872501XX | CYPRESS | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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5962-8872501XXT | CYPRESS | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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5962-8872501YX | WEDC | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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